高温存储 | 晶体在温度 85℃±2℃中放置 1000 小时“*2”
| 晶体在温度 125℃±2℃中放置 1000 小时“*2”
| |
温度循环 | 晶体按下表温度
做 1000 个循环 | 晶体按下表温度
做 1000 个循环 | |
稳态湿热 | 晶体在温度 85℃±2℃,湿度 85%条件下放置 1000 小时“*2”。 | 晶体在温度 85℃±2℃,湿度 85%条件下放置 1000 小时“*2”。 | |
工作寿命 | 晶体在温度 85℃±2℃中放置 1000 小时“*2”(施加额定 VDD) | 晶体在温度 125℃±2℃中放置 1000 小时“*2”(施加额定 VDD) | |
外观 | 检查器件结构,标识和工艺质量。不要求电气测试 | 检查器件结构,标识和工艺质量。不要求电气测试 | |
尺寸 | 用户和供应商规格。不要求电气测试 | 用户和供应商规格。不要求电气测试 | |
端子强度
(插件类) | 拉力:沿端子轴方向施力 227g 的拉力,持续时间 10±5 秒。
弯曲:负荷应限制在距晶体元件本体 2.5±0.5mm 处开始弯曲,所加质 量负荷为 227g,弯曲次数为 3 次。
| |
冲击 | 冲击方式 半正弦波 100G 持续时间 6ms 方向 X、Y、Z 轴向,6 面,共 18 次冲击 | |
振动 | 振动频率 10~2000Hz 振辐 1.5mm
扫描时间 20 min 方向 X、Y、Z(三个方向各 12 个循环)
| |
耐焊接热 | 回流焊:峰值温度:260±5℃,时间:10 秒±1 秒。 | |
可焊性 | 焊接温度 245℃±5 ℃ 浸入时间 5 秒±0.5 秒, 助焊剂 松香树脂甲醇溶剂 ( 1:4 )
| |
电性特征 | 按批次和样品数量要求进行参数试验,总结列出室温下及最低、最高 工作温度下器件的最小值、最大值、平均值和标准偏差。 | |
面板弯曲 (SMD) | 向产品的中心施加压力,直到弯曲到最少 2mm,并保持 60±5 秒。 | |
端子强度 (SMD) | 侧方施加 1.8Kg 的力,持续时间 60±1 秒。 | |